Bằng các phương pháp mô phỏng số BPM và EIM, một linh kiện quang tử MDM nền tảng SOI được tạo ra để thực hiện chức năng ghép/tách hai cặp mode TE0/TM0 và TE1/TM1 với hiệu năng quang cao.
Tóm tắt:
Một linh kiện quang tử ghép/tách hai mode thấp nhất cho ánh sáng phân cực từ ngang (TM) và điện ngang (TE), được tạo ra dựa trên bộ ghép chữ Y bất đối xứng trong cấu trúc dẫn sóng nóc/đỉnh nền tảng SOI. Thông qua các phương pháp mô phỏng số (3D-BPM và EIM), linh kiện đề xuất có thể hoạt động trong một dải bước sóng rộng đến 220 nm với suy hao chèn kênh (I.L), nhiễu xuyên kênh (Cr.T) và suy hao không phụ thuộc phân cực lần lượt là I.L > - 0.28 dB, Cr.T < - 20 dB và PDL < 0.03 dB. Cùng với kích cỡ 3 μm × 60 μm và sai số chế tạo ± 50 nm, linh kiện hoàn toàn có thể được chế tạo bởi các công nghệ CMOS hiện tại để có thể áp dụng vào trong một hệ thống ghép kênh phân chia theo mode MDM.
Từ khóa: Linh kiện quang tử; phân cực mode ánh sáng; giao thoa đa mode; trường điện từ ngang.
Nguyễn Trọng Các1, Dương Quang Duy1, Trương Cao Dũng2,
Chử Đức Hoàng4, Nguyễn Tuấn3
1Học viện Công nghệ Bưu chính Viễn thông, Hà Nội
2Công ty Cổ phần Zinmed Việt Nam
3Trường Bồi dưỡng Cán bộ quản Lý văn hóa, Thể thao và Du lịch
4Trường Đại học Sao Đỏ
[Tạp chí NCKH - Đại học Sao Đỏ
Số 4 (75) 2021]
